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DMN66D0LDW-7  与  DMN63D1LDW-7  区别

型号 DMN66D0LDW-7 DMN63D1LDW-7
唯样编号 A36-DMN66D0LDW-7 A36-DMN63D1LDW-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 DMN66D0LDW Series 60 V 115 mA 5 Ohm Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5Ω@115mA,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 250mW -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2Ω@500mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 30pF @ 25V
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.3nC @ 4.5V
封装/外壳 SOT-363 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 0.115A 250mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 23pF @ 25V -
库存与单价
库存 3,244 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
290+ :  ¥0.1764
1,500+ :  ¥0.1536
3,000+ :  ¥0.1356
90+ :  ¥0.6126
200+ :  ¥0.3952
1,500+ :  ¥0.3432
3,000+ :  ¥0.3048
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN66D0LDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

5Ω@115mA,10V 250mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 60V 0.115A

¥0.1764 

阶梯数 价格
290: ¥0.1764
1,500: ¥0.1536
3,000: ¥0.1356
3,244 当前型号
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 250mA

¥0.6126 

阶梯数 价格
90: ¥0.6126
200: ¥0.3952
1,500: ¥0.3432
3,000: ¥0.3048
3,000 对比

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