DMN66D0LDW-7 与 DMN63D1LDW-7 区别
| 型号 | DMN66D0LDW-7 | DMN63D1LDW-7 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN66D0LDW-7-0 | A36-DMN63D1LDW-7 | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | DMN66D0LDW Series 60 V 115 mA 5 Ohm Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5Ω@115mA,10V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 250mW | - | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 2Ω@500mA,10V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 30pF @ 25V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 0.3nC @ 4.5V | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-23-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.115A | 250mA | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 23pF @ 25V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 1,934 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN66D0LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
5Ω@115mA,10V 250mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 60V 0.115A |
￥0.1926
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1,934 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN63D1LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 250mA |
￥0.5724
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3,000 | 对比 |
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