DMN65D8LQ-13 与 DMN65D8LV-13 区别
| 型号 | DMN65D8LQ-13 | DMN65D8LV-13 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN65D8LQ-13 | A36-DMN65D8LV-13 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 370mW(Ta) | - | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 3Ω@115mA,10V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 22 pF @ 25 V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.87 nC @ 10 V | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 310mA(Ta) | - | ||||||
| 驱动电压 | 5V,10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 9,849 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN65D8LQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 310mA(Ta) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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DMN65D8LV-13 | Diodes Incorporated | 通用MOSFET |
￥0.284
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9,849 | 对比 | ||||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
￥0.234
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793 | 对比 | ||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 9 | 对比 | ||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NX138BKR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.31W 150°C 1V,20V 60V 0.265A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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