DMN62D0LFD-7 与 DMN62D0LFD-13 区别
| 型号 | DMN62D0LFD-7 | DMN62D0LFD-13 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN62D0LFD-7 | A36-DMN62D0LFD-13 | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN | MOSFET N-CH SOT23 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | X1-DFN1212-3 | X1-DFN1212-3 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 310mA(Ta) | 310mA(Ta) | ||||||||||||
| 驱动电压 | 1.8V,4V | 1.8V,4V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 480mW(Ta) | 480mW(Ta) | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 2Ω@100mA,4V | 2Ω@100mA,4V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 31 pF @ 25 V | 31 pF @ 25 V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 500 pF @ 4.5 V | 500 pF @ 4.5 V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,556 | 9,994 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 480mW(Ta) ±20V X1-DFN1212-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 310mA(Ta) |
￥0.5239
|
1,556 | 当前型号 | ||||||||
|
DMN62D0LFD-13 | Diodes Incorporated | 通用MOSFET |
N-Channel 480mW(Ta) ±20V X1-DFN1212-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 310mA(Ta) |
￥0.2214
|
9,994 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
