DMN62D0LFB-7 与 DMN62D0LFB-7B 区别
| 型号 | DMN62D0LFB-7 | DMN62D0LFB-7B |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN62D0LFB-7 | A3-DMN62D0LFB-7B |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | MOSFET |
| 描述 | DMN62D0LFB Series 60 V 100 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - X1-DFN1006-3 | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 470mW(Ta) | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | DFN | X1-DFN1006-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 0.1A | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 32pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.45nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 2Ω@100mA,4V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 57 | 10,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 470mW(Ta) 2Ω@100mA,4V -55°C~150°C(TJ) DFN N-Channel 60V 0.1A |
暂无价格 | 57 | 当前型号 |
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DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
X1-DFN1006-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 |
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DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
X1-DFN1006-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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