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DMN62D0LFB-7  与  DMN62D0LFB-7B  区别

型号 DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7B
唯样编号 A36-DMN62D0LFB-7 A-DMN62D0LFB-7B
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 DMN62D0LFB Series 60 V 100 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - X1-DFN1006-3 MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2Ω@100mA,4V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 470mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2Ω@100mA,4V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 32 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 0.45 nC @ 4.5 V
封装/外壳 DFN X1-DFN1006-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 0.1A 100mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 32pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.45nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4V -
库存与单价
库存 9,180 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5239
200+ :  ¥0.338
1,500+ :  ¥0.2938
3,000+ :  ¥0.26
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

DFN

¥0.5239 

阶梯数 价格
100: ¥0.5239
200: ¥0.338
1,500: ¥0.2938
3,000: ¥0.26
9,180 当前型号
DMN62D0LFB-7B Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

X1-DFN1006-3

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