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DMN60H080DS-13  与  DMN60H080DS-7  区别

型号 DMN60H080DS-13 DMN60H080DS-7
唯样编号 A36-DMN60H080DS-13 A36-DMN60H080DS-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 80mA(Ta) 80mA(Ta)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) 1.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 100Ω@60mA,10V 100Ω@60mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 25 pF @ 25 V 25 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 1.7 nC @ 10 V 1.7 nC @ 10 V
库存与单价
库存 3,481 46
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7689
100+ :  ¥0.6279
500+ :  ¥0.5694
2,500+ :  ¥0.5278
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN60H080DS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 600V 80mA(Ta)

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
100: ¥0.6279
500: ¥0.5694
2,500: ¥0.5278
3,481 当前型号
DMN60H080DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 600V 80mA(Ta)

暂无价格 46 对比
DMN60H080DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 600V 80mA(Ta)

暂无价格 0 对比

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