DMN6075SQ-7 与 DMN6075S-7 区别
| 型号 | DMN6075SQ-7 | DMN6075S-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN6075SQ-7 | A36-DMN6075S-7 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 800mW(Ta) | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-23 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.5A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 606pF @ 20V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12.3nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 85mΩ@3.2A,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1 | 5,642 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMN6075SQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 1 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 800mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 2A(Ta) |
￥1.0008
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6,382 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
￥1.0608
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5,642 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 800mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 2A(Ta) |
暂无价格 | 19 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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