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DMN6075S-7  与  DMN6075S-13  区别

型号 DMN6075S-7 DMN6075S-13
唯样编号 A36-DMN6075S-7 A36-DMN6075S-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 85mΩ@3.2A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 800mW(Ta) 800mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 85mΩ@3.2A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 606 pF @ 20 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12.3 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 2A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 606pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.3nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 2,939 9,395
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
90+ :  ¥0.6226
100+ :  ¥0.507
500+ :  ¥0.4615
2,500+ :  ¥0.4277
5,000+ :  ¥0.3991
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6075S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
2,939 当前型号
DMN6075S-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 800mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 2A(Ta)

¥0.6226 

阶梯数 价格
90: ¥0.6226
100: ¥0.507
500: ¥0.4615
2,500: ¥0.4277
5,000: ¥0.3991
9,395 对比
PJA3460_R1_00001 Panjit  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 20V 2.5V SOT-23

暂无价格 100 对比
IRLML0060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 92mΩ@2.7A,10V N-Channel 60V 2.7A SOT-23

暂无价格 0 对比

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