DMN6075S-13 与 IRLML0060TRPBF 区别
| 型号 | DMN6075S-13 | IRLML0060TRPBF | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN6075S-13 | A-IRLML0060TRPBF | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 | Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 92mΩ@2.7A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 800mW(Ta) | 1.25W(Ta) | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 85mΩ@3.2A,10V | - | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 606 pF @ 20 V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12.3 nC @ 10 V | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2A(Ta) | 2.7A | ||||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 25µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 290pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.5nC @ 4.5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 25µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 290pF @ 25V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.5nC @ 4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 9,395 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMN6075S-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 800mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 2A(Ta) |
￥0.6226
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9,395 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
￥0.5544
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2,939 | 对比 | ||||||||||||
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PJA3460_R1_00001 | Panjit | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 60V 20V 2.5V SOT-23 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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IRLML0060TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 92mΩ@2.7A,10V N-Channel 60V 2.7A SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 800mW(Ta) 85mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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