DMN6069SFG-7 与 AON7446 区别
| 型号 | DMN6069SFG-7 | AON7446 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN6069SFG-7 | A-AON7446 | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | - | 9 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 63mΩ | 145mΩ@10V | ||||
| 上升时间 | 5ns | - | ||||
| ESD Diode | - | No | ||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 160mΩ | ||||
| Qg-栅极电荷 | 14nC | - | ||||
| Qgd(nC) | - | 1.1 | ||||
| 栅极电压Vgs | 1V | 20V | ||||
| Td(on)(ns) | - | 4.5 | ||||
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN | DFN 3x3 EP | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 18A | 8A | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| Ciss(pF) | - | 237 | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 下降时间 | 3.3ns | - | ||||
| Schottky Diode | - | No | ||||
| Trr(ns) | - | 7.7 | ||||
| Td(off)(ns) | - | 15 | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 930mW | 16.7W | ||||
| Qrr(nC) | - | 13 | ||||
| VGS(th) | - | 3.3 | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 12ns | - | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 系列 | DMN6069 | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1480pF @ 30V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 3.6ns | - | ||||
| Coss(pF) | - | 25 | ||||
| Qg*(nC) | - | 4.4* | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 2,000 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V |
￥0.9444
|
2,000 | 当前型号 | ||||||
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AON7446 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 60V 20V 8A 16.7W 145mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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