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DMN6068SE-13  与  DMN6068SEQ-13  区别

型号 DMN6068SE-13 DMN6068SEQ-13
唯样编号 A36-DMN6068SE-13 A36-DMN6068SEQ-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ@12A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-223 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 5.6A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 3,195 3,992
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.089
100+ :  ¥0.8382
1,000+ :  ¥0.6974
2,000+ :  ¥0.6336
40+ :  ¥1.375
100+ :  ¥1.1
1,000+ :  ¥0.9845
2,000+ :  ¥0.9284
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

¥1.089 

阶梯数 价格
50: ¥1.089
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.6974
2,000: ¥0.6336
3,195 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,000: ¥1.0307
2,000: ¥0.9372
4,000: ¥0.869
8,716 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
DMN6068SEQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

¥1.375 

阶梯数 价格
40: ¥1.375
100: ¥1.1
1,000: ¥0.9845
2,000: ¥0.9284
3,992 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A

¥2.662 

阶梯数 价格
20: ¥2.662
50: ¥2.046
1,000: ¥1.892
1,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 对比

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