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首页 > 商品目录 > > > > DMN6068SE-13代替型号比较

DMN6068SE-13  与  NTF3055-100T1G  区别

型号 DMN6068SE-13 NTF3055-100T1G
唯样编号 A36-DMN6068SE-13 A32-NTF3055-100T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ@12A,10V 110 毫欧 @ 1.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.6A 3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V 455pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V 22nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
库存与单价
库存 11,647 29
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
50+ :  ¥1.0043
200+ :  ¥0.6919
2,000+ :  ¥0.6303
4,000+ :  ¥0.5874
1+ :  ¥0.7488
25+ :  ¥0.6455
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

¥1.0043 

阶梯数 价格
50: ¥1.0043
200: ¥0.6919
2,000: ¥0.6303
4,000: ¥0.5874
11,647 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
1,000: ¥1.0417
2,000: ¥0.9471
4,000: ¥0.869
4,169 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
IRLL024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 65mΩ@3.1A,10V N-Channel 55V 4.4A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A

¥0.7488 

阶梯数 价格
1: ¥0.7488
25: ¥0.6455
100: ¥0.5564
190 对比
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A

¥0.7488 

阶梯数 价格
1: ¥0.7488
25: ¥0.6455
29 对比

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