DMN6068LK3-13 与 STD16NF06T4 区别
| 型号 | DMN6068LK3-13 | STD16NF06T4 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN6068LK3-13 | A3-STD16NF06T4 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 68mΩ | - | ||||||||
| 上升时间 | 10.8ns | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 8.49W | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 10.3nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1V | - | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 11.9ns | - | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 19.7S | - | ||||||||
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.5A | - | ||||||||
| 系列 | DMN6068 | - | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 502pF @ 30V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.3nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 下降时间 | 8.7ns | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 3.6ns | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 10,579 | 30,000 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
￥1.463
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10,579 | 当前型号 | ||||||||||
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STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||||||||
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STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥2.222
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2,449 | 对比 | ||||||||||
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NTD3055L104T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK |
￥2.585
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800 | 对比 | ||||||||||
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RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 27 | 对比 |
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