DMN6040SSD-13 与 IRF7380PBF 区别
| 型号 | DMN6040SSD-13 | IRF7380PBF | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN6040SSD-13 | A-IRF7380PBF | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 正向跨导-最小值 | 4.5 S | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ | 73mΩ@2.2A,10V | ||||||||
| 上升时间 | 8.1ns | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 22.4nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1V | - | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 4.5S | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SO | 8-SO | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 5A | 3.6A | ||||||||
| 配置 | Dual | - | ||||||||
| 下降时间 | 4ns | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 660pF @ 25V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 80V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | 2W | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 20.1ns | - | ||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | DMN6040 | HEXFET® | ||||||||
| 通道数量 | 2Channel | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1287pF @ 25V | 660pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22.4nC @ 10V | 23nC @ 10V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 6.6ns | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 23nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 11,184 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel |
￥1.43
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11,184 | 当前型号 | ||||||||||
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IRF7341PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 4.7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7341TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 55V 4.7A ±20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7351TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.8mΩ@8A,10V 2W N-Channel 60V 8A 8-SO ±20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7380PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 73mΩ@2.2A,10V 2W N-Channel 80V 3.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7380TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC 80V 3.6A 73mΩ 20V 2W 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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