首页 > 商品目录 > > > DMN6040SK3-13代替型号比较

DMN6040SK3-13  与  IRFR1205TRPBF  区别

型号 DMN6040SK3-13 IRFR1205TRPBF
唯样编号 A36-DMN6040SK3-13 A36-IRFR1205TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 60V 20A TO252 Single N-Channel 55 V 107 W 65 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 107W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 40mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1287 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 22.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A(Tc) 44A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
库存与单价
库存 941 330
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥1.738
100+ :  ¥1.342
20+ :  ¥2.959
100+ :  ¥2.277
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
941 当前型号
IRLR2705TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.233 

阶梯数 价格
30: ¥2.233
100: ¥1.716
1,000: ¥1.496
2,000: ¥1.408
10,009 对比
IPD350N06L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06LGBTMA1_6.5mm TO-252-3

¥4.7912 

阶梯数 价格
40: ¥4.7912
50: ¥4.2451
100: ¥3.7755
500: ¥3.7755
1,000: ¥3.7659
2,000: ¥3.7468
4,000: ¥3.7276
5,000 对比
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥9.8028 

阶梯数 价格
20: ¥9.8028
50: ¥6.5352
100: ¥5.232
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.705
2,000: ¥4.6379
4,000: ¥4.6092
4,547 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,153 对比
IRFR1205TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
330 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售