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DMN6040SK3-13  与  IRLR2705TRLPBF  区别

型号 DMN6040SK3-13 IRLR2705TRLPBF
唯样编号 A36-DMN6040SK3-13 A-IRLR2705TRLPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 60V 20A TO252 Single HexFet 55 V 68 W 25 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@17A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 68W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 40mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1287 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 22.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A(Tc) 28A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 880pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 880pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 5V
库存与单价
库存 5,216 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.606
100+ :  ¥1.232
1,250+ :  ¥1.0692
2,500+ :  ¥1.0098
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 20A(Tc)

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,250: ¥1.0692
2,500: ¥1.0098
5,216 当前型号
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规

¥8.078 

阶梯数 价格
20: ¥8.078
50: ¥6.152
100: ¥5.5099
300: ¥5.0787
487 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.498 

阶梯数 价格
20: ¥3.498
100: ¥2.904
342 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
IRLR2705TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@17A,10V N-Channel 55V 28A D-Pak

暂无价格 0 对比

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