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DMN601K-7  与  RK7002BT116  区别

型号 DMN601K-7 RK7002BT116
唯样编号 A36-DMN601K-7 A33-RK7002BT116
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
功率耗散(最大值) - 200mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 15pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SST3
工作温度 -65°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 800mA -
配置 Single -
长度 2.9mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.4 欧姆 @ 250mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,10V
高度 1mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 350mW -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 1mA
系列 DMN60 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 250mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 5,628 0
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6391
200+ :  ¥0.2895
1,500+ :  ¥0.1815
3,000+ :  ¥0.1442
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN601K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-65°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 800mA 350mW 3Ω 60V 20V N-Channel

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.2895
1,500: ¥0.1815
3,000: ¥0.1442
5,628 当前型号
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002P_N-Channel 60V 360mA(Ta) ±20V 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

¥0.2175 

阶梯数 价格
230: ¥0.2175
1,500: ¥0.1361
3,000: ¥0.108
46,351 对比
NDS7002A ON Semiconductor 通用MOSFET

¥0.5929 

阶梯数 价格
90: ¥0.5929
200: ¥0.4524
1,500: ¥0.3939
3,000: ¥0.3484
3,056 对比
PMBF170,215 Nexperia  数据手册 JFET(结型场效应晶体管)

PMBF170_null

暂无价格 79 对比
RK7002BT116 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 SST3

暂无价格 0 对比
RK7002BT116 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 SST3

暂无价格 0 对比

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