DMN601DWK-7 与 UM6K31NTN 区别
| 型号 | DMN601DWK-7 | UM6K31NTN |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN601DWK-7 | A3-UM6K31NTN |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363 | UM6K31N Series 60 V 250 mA 2.4 Ohm Silicon Surface Mount N-Channel Mosfet - UMT6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.4Ω@250mA,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 150mW |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 2Ω@500mA,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 50pF @ 25V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-363 | UMT |
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 305mA | 0.25A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 15pF @ 25V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 4 | 3,100 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN601DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-363 -65°C~150°C(TJ) 60V 305mA |
暂无价格 | 4 | 当前型号 | ||||||||||
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UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
暂无价格 | 3,100 | 对比 | ||||||||||
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FDG6301N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 220mA 4 Ohms@220mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 SC-70 N-Channel 25V 0.22A SC-88(SC-70-6) |
暂无价格 | 2,330 | 对比 | ||||||||||
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UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
￥1.1787
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2,005 | 对比 | ||||||||||
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UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||||
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UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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