DMN4800LSSL-13 与 AO4468 区别
| 型号 | DMN4800LSSL-13 | AO4468 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN4800LSSL-13 | A-AO4468 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8A 8SO | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 82 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 3.1W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 23mΩ | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 9 | ||||||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 3 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 10.5A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 740 | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 17mΩ@10.5A,10V | ||||||||
| Trr(ns) | - | 18 | ||||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 7.5 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 4,287 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
￥1.243
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4,287 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8338
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22,109 | 对比 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.6065
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269 | 对比 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI4410DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 10A(Ta) 13.5mΩ@10A,10V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF8707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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