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DMN4800LSS-13  与  AO4468  区别

型号 DMN4800LSS-13 AO4468
唯样编号 A36-DMN4800LSS-13 A36-AO4468
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Td(off)(ns) - 19
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@9A,10V 17mΩ@10.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V - 23mΩ
Pd-功率耗散(Max) 1.46W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 9
VGS(th) - 2.4
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 SOP SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 8.6A 10.5A
Ciss(pF) - 740
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 798pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.47nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 18
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 3,500 5,465
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.0395
100+ :  ¥0.6919
1,250+ :  ¥0.6303
2,500+ :  ¥0.583
70+ :  ¥0.7975
200+ :  ¥0.5511
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

¥1.0395 

阶梯数 价格
50: ¥1.0395
100: ¥0.6919
1,250: ¥0.6303
2,500: ¥0.583
3,500 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 对比
IRL6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.035 

阶梯数 价格
30: ¥2.035
100: ¥1.628
107 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
AO4710L_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRF8113 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比

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