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DMN4468LSS-13  与  FDS6690A  区别

型号 DMN4468LSS-13 FDS6690A
唯样编号 A36-DMN4468LSS-13 A36-FDS6690A
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 30 V 12.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@11.6A,10V 12.5m Ohms@11A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.52W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOP 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 11A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.95V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 867pF @ 10V 1205pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18.85nC @ 10V 16nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.421
100+ :  ¥2.64
1,250+ :  ¥2.288
2,500+ :  ¥2.189
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.52W(Ta) 14mΩ@11.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 10A

暂无价格 0 当前型号
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 12.5m Ohms@11A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 11A 8-SOIC

¥3.421 

阶梯数 价格
20: ¥3.421
100: ¥2.64
1,250: ¥2.288
2,500: ¥2.189
2,500 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.7303 

阶梯数 价格
30: ¥5.7303
50: ¥4.0247
100: ¥3.4593
300: ¥3.0856
500: ¥3.0089
1,000: ¥2.9514
1,152 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 100 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.7303 

阶梯数 价格
30: ¥5.7303
48 对比
IRL6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.6mΩ@9.9A,4.5V N-Channel 30V 9.9A 8-SO

暂无价格 0 对比

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