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DMN4060SVT-7  与  RTQ020N05TR  区别

型号 DMN4060SVT-7 RTQ020N05TR
唯样编号 A36-DMN4060SVT-7 A33-RTQ020N05TR
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 45 V 46 mOhm SMT Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@4.3A,10V 190mΩ@2A,4.5V
漏源极电压Vds 45V 45V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) 600mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TSOT-23 SOT-23-6,TSOT-23-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.8A 2A(Ta)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1287pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 150pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC
库存与单价
库存 2,313 787
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9724
200+ :  ¥0.748
1,500+ :  ¥0.6501
180+ :  ¥0.8453
500+ :  ¥0.8453
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.2W(Ta) 46mΩ@4.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N-Channel 45V 4.8A

¥0.9724 

阶梯数 价格
60: ¥0.9724
200: ¥0.748
1,500: ¥0.6501
2,313 当前型号
RVQ040N05TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

4A 1.25W 53mΩ 45V 21V SOT-457T-6

暂无价格 3,000 对比
RVQ040N05TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

4A 1.25W 53mΩ 45V 21V SOT-457T-6

¥4.7625 

阶梯数 价格
40: ¥4.7625
50: ¥3.0568
100: ¥2.4915
300: ¥2.1178
500: ¥2.0411
1,000: ¥1.9836
2,450 对比
RTQ020N05TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 45V 2A(Ta) ±12V 600mW(Ta) 190mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

¥0.8453 

阶梯数 价格
180: ¥0.8453
500: ¥0.8453
787 对比
RVQ040N05TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

4A 1.25W 53mΩ 45V 21V SOT-457T-6

暂无价格 200 对比
RVQ040N05TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

4A 1.25W 53mΩ 45V 21V SOT-457T-6

¥6.8079 

阶梯数 价格
1: ¥6.8079
100: ¥3.935
1,500: ¥2.4948
3,000: ¥1.8037
100 对比

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