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DMN3730UFB4-7  与  DMN3730UFB4-7B  区别

型号 DMN3730UFB4-7 DMN3730UFB4-7B
唯样编号 A36-DMN3730UFB4-7 A36-DMN3730UFB4-7B
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 460mΩ@200mA,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 470mW(Ta) 470mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 460mΩ@200mA,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 64.3 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 1.6 nC @ 4.5 V
封装/外壳 X2-DFN X2-DFN1006-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 0.91A 750mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64.3pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.6nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
库存与单价
库存 2,249 50
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
120+ :  ¥0.4446
200+ :  ¥0.286
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3730UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 470mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN N-Channel 30V 0.91A

¥0.4446 

阶梯数 价格
120: ¥0.4446
200: ¥0.286
2,249 当前型号
DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 470mW(Ta) ±8V X2-DFN1006-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 750mA(Ta)

暂无价格 50 对比
PMZ390UN,315 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMZ390UN_SOT883 N-Channel 2.5W 150℃ 0.7V,8V 30V 1.78A

¥0.726 

阶梯数 价格
2,470: ¥0.726
5,000: ¥0.5951
10,000: ¥0.5361
0 对比
DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 470mW(Ta) ±8V X2-DFN1006-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 750mA(Ta)

暂无价格 0 对比

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