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DMN3300U-7  与  BSS316NH6327XTSA1  区别

型号 DMN3300U-7 BSS316NH6327XTSA1
唯样编号 A36-DMN3300U-7 A36-BSS316NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@4.5A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 94pF @ 15V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 3.7uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 193pF @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 160 毫欧 @ 1.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.4A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 2,040 15,043
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
2,040 当前型号
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7194 

阶梯数 价格
70: ¥0.7194
200: ¥0.5499
1,500: ¥0.4771
3,000: ¥0.4225
18,043 对比
BSS316NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS316N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
15,043 对比
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥2.2327 

阶梯数 价格
70: ¥2.2327
100: ¥1.6482
500: ¥1.2458
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.0733
6,000 对比
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥2.2327 

阶梯数 价格
70: ¥2.2327
100: ¥1.6482
500: ¥1.2458
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.0733
5,537 对比
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23

暂无价格 2 对比

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