首页 > 商品目录 > > > DMN3200U-7代替型号比较

DMN3200U-7  与  FDN337N  区别

型号 DMN3200U-7 FDN337N
唯样编号 A36-DMN3200U-7 A36-FDN337N
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 650mW(Ta) 500mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 90mΩ@2.2A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 290 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 2.2A(Ta)
驱动电压 1.5V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 8,332 9,091
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6512
200+ :  ¥0.4966
1,500+ :  ¥0.4316
3,000+ :  ¥0.3822
60+ :  ¥0.9966
200+ :  ¥0.6875
1,500+ :  ¥0.6248
3,000+ :  ¥0.5841
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3200U-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6512 

阶梯数 价格
80: ¥0.6512
200: ¥0.4966
1,500: ¥0.4316
3,000: ¥0.3822
8,332 当前型号
FDN337N ON Semiconductor 功率MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.9966 

阶梯数 价格
60: ¥0.9966
200: ¥0.6875
1,500: ¥0.6248
3,000: ¥0.5841
9,091 对比
FDN337N ON Semiconductor 功率MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.6596 

阶梯数 价格
1: ¥1.6596
5 对比
FDN337N ON Semiconductor 功率MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
SI2304 MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售