首页 > 商品目录 > > > DMN3110S-7代替型号比较

DMN3110S-7  与  RTF025N03TL  区别

型号 DMN3110S-7 RTF025N03TL
唯样编号 A36-DMN3110S-7 A33-RTF025N03TL-1
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 N-Channel 0.8 W 30 V 98 mOhm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - TUMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 67mΩ@2.5A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 740mW(Ta) 800mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 73mΩ@3.1mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 305.8 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V 12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TUMT
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 2.5A
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
库存与单价
库存 10,210 183
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6424
200+ :  ¥0.4901
1,500+ :  ¥0.4264
3,000+ :  ¥0.377
80+ :  ¥2.0986
100+ :  ¥1.9932
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.377
10,210 当前型号
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
18,086 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.3703 

阶梯数 价格
110: ¥1.3703
500: ¥1.3416
1,000: ¥1.3416
2,000: ¥1.3224
11,500 对比
DMN3112S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 5,000 对比
ZXMN3B14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.87
718 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥2.0986 

阶梯数 价格
80: ¥2.0986
100: ¥1.9932
183 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售