DMN3070SSN-7 与 PMV50ENEAR 区别
| 型号 | DMN3070SSN-7 | PMV50ENEAR | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN3070SSN-7 | A36-PMV50ENEAR | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@4.2A,10V | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 780mW(Ta) | 0.51W | ||||||||||||
| 输出电容 | - | 55pF | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SC-59 | SOT23 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.2A | 3.9A | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 697pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 输入电容 | - | 276pF | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13.2nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 43mΩ@3.9A,10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 4,923 | 618 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A |
￥0.6222
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4,923 | 当前型号 | ||||||||||
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PMV50ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规 |
￥1.0384
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618 | 对比 | ||||||||||
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PMV50ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规 |
暂无价格 | 9 | 对比 | ||||||||||
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PMV37EN2R | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W 150°C 1.5V,20V 30V 5.6A |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
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PMV37EN2R | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W 150°C 1.5V,20V 30V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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