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DMN3067LW-7  与  RTF025N03TL  区别

型号 DMN3067LW-7 RTF025N03TL
唯样编号 A36-DMN3067LW-7 A33-RTF025N03TL-1
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 0.8 W 30 V 98 mOhm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - TUMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 67mΩ@2.5A,4.5V 67mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 5.2ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 800mW(Ta)
Qg-栅极电荷 4.6nC -
栅极电压Vgs ±12V 12V
典型关闭延迟时间 15ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-323 TUMT
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.6A 2.5A
系列 DMN3067 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 447pF @ 10V 270pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V 5.2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 6.1ns -
典型接通延迟时间 3.8ns -
库存与单价
库存 5,249 183
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
80+ :  ¥2.0986
100+ :  ¥1.9932
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
5,249 当前型号
DMN3067LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
100: ¥0.6279
500: ¥0.5694
2,500: ¥0.5278
5,000: ¥0.494
8,585 对比
AO7400 AOS  数据手册 小信号MOSFET

SC70-3

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
494 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥2.0986 

阶梯数 价格
80: ¥2.0986
100: ¥1.9932
183 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥5.3039 

阶梯数 价格
1: ¥5.3039
100: ¥3.0073
1,500: ¥1.9066
3,000: ¥1.4204
100 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.0927 

阶梯数 价格
1: ¥1.0927
25: ¥0.9419
100: ¥0.8118
100 对比

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