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DMN3067LW-13  与  DMN3067LW-7  区别

型号 DMN3067LW-13 DMN3067LW-7
唯样编号 A36-DMN3067LW-13 A3-DMN3067LW-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 67mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 - 5.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 500mW
Qg-栅极电荷 - 4.6nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 67mΩ@2.5A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 447 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
典型关闭延迟时间 - 15ns
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 4.6 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-323 SOT-323
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.6A(Ta) 2.6A
系列 - DMN3067
驱动电压 2.5V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 447pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
下降时间 - 6.1ns
典型接通延迟时间 - 3.8ns
库存与单价
库存 8,585 25,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7689
100+ :  ¥0.6279
500+ :  ¥0.5694
2,500+ :  ¥0.5278
5,000+ :  ¥0.494
1+ :  ¥1.1039
100+ :  ¥0.7122
1,000+ :  ¥0.5276
1,500+ :  ¥0.4396
3,000+ :  ¥0.3435
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3067LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
100: ¥0.6279
500: ¥0.5694
2,500: ¥0.5278
5,000: ¥0.494
8,585 当前型号
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥1.1039 

阶梯数 价格
1: ¥1.1039
100: ¥0.7122
1,000: ¥0.5276
1,500: ¥0.4396
3,000: ¥0.3435
25,000 对比
DMN3067LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-323

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
4,766 对比
AO7400 AOS  数据手册 小信号MOSFET

SC70-3

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
494 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥5.3039 

阶梯数 价格
1: ¥5.3039
100: ¥3.0073
1,500: ¥1.9066
3,000: ¥1.4204
100 对比
RTF025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TUMT

¥1.0927 

阶梯数 价格
1: ¥1.0927
25: ¥0.9419
100: ¥0.8118
100 对比

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