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DMN3051L-7  与  RTR025N03TL  区别

型号 DMN3051L-7 RTR025N03TL
唯样编号 A36-DMN3051L-7 A36-RTR025N03TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 38mΩ@5.8A,10V 92mΩ@2.5A,4.5V
上升时间 - 15 ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V 12V
典型关闭延迟时间 - 25 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TSMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.8A 2.5A
系列 - RTR
配置 - Single
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 424pF @ 5V 220pF @ 10V
长度 - 2.9 mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
下降时间 - 10 ns
典型接通延迟时间 - 9 ns
高度 - 0.85 mm
库存与单价
库存 0 2
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 700mW(Ta) 38mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A

暂无价格 0 当前型号
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V

¥0.649 

阶梯数 价格
80: ¥0.649
200: ¥0.4953
1,500: ¥0.4303
3,000: ¥0.3809
19,851 对比
PMV50ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50ENEA_SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规

¥1.144 

阶梯数 价格
50: ¥1.144
200: ¥0.8833
1,416 对比
PMV50ENEAR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV50ENEA_SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规

¥1.538 

阶梯数 价格
1: ¥1.538
100: ¥1.1652
1,000: ¥0.9103
1,500: ¥0.7461
3,000: ¥0.6488
39 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

暂无价格 2 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 2 对比

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