DMN3033LSD-13 与 IRF7904TRPBF 区别
| 型号 | DMN3033LSD-13 | IRF7904TRPBF | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN3033LSD-13 | A-IRF7904TRPBF | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Dual N-Channel 30 V 1.4/2 W 7.5/14 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 16.2mΩ@7.6A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W,2W | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@6.9A,10V | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 725pF @ 15V | - | ||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 13nC @ 10V | - | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 6.9A | 7.6A,11A | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.25V @ 25µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 910pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.25V @ 25µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 910pF @ 15V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 4,756 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
￥1.2062
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4,756 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
￥1.375
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2,690 | 对比 | ||||||||||
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FDS6982AS | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDS6990AS | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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IRF7904TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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