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DMN3033LDM-7  与  RTQ020N03TR  区别

型号 DMN3033LDM-7 RTQ020N03TR
唯样编号 A36-DMN3033LDM-7 A33-RTQ020N03TR-1
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ@6.9A,10V 125mΩ@2A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V 12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-26 SOT-23-6,TSOT-23-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 2A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 755pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 135pF @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 9,200 6,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6787
200+ :  ¥0.5538
1,500+ :  ¥0.5018
3,000+ :  ¥0.4706
110+ :  ¥1.4853
500+ :  ¥1.2553
1,000+ :  ¥1.2074
2,000+ :  ¥1.1691
4,000+ :  ¥1.1308
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

¥0.6787 

阶梯数 价格
80: ¥0.6787
200: ¥0.5538
1,500: ¥0.5018
3,000: ¥0.4706
9,200 当前型号
RTQ035N03TR ROHM Semiconductor 通用MOSFET

TSMT

¥1.4393 

阶梯数 价格
1: ¥1.4393
25: ¥1.2409
100: ¥1.0697
1,000: ¥0.957
3,000: ¥0.825
6,000: ¥0.759
12,000: ¥0.6982
15,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
4,000: ¥1.1308
6,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
3,000 对比
RSQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.0829 

阶梯数 价格
140: ¥1.0829
500: ¥1.0733
1,000: ¥1.0733
2,000: ¥1.0733
2,275 对比
RTQ035N03TR ROHM Semiconductor 通用MOSFET

TSMT

¥0.8851 

阶梯数 价格
170: ¥0.8851
500: ¥0.8751
1,000: ¥0.8751
1,100 对比

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