DMN3026LVT-7 与 AO6402A 区别
| 型号 | DMN3026LVT-7 | AO6402A | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN3026LVT-7 | A-AO6402A | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 27mΩ@7A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta) | 2W | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 23mΩ@6.5A,10V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 643 pF @ 15 V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12.5 nC @ 10 V | - | ||||||
| 封装/外壳 | TSOT-23-6 | TSOP-6 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 6.6A(Ta) | 7.5A | ||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,637 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23-6 -55°C~150°C(TJ) 30V 6.6A(Ta) |
￥0.8063
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2,637 | 当前型号 | ||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
￥0.7513
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972 | 对比 | ||||||
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NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23-6 |
￥1.551
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629 | 对比 | ||||||
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IRFTS8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 19mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 8.2A 30V 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AO6402A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 N-Channel 30V ±20V 7.5A 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
￥0.8004
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0 | 对比 | ||||||
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IRLTS6342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 17.5mΩ@8.3A,4.5V N-Channel 30V 8.3A 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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