DMN3018SSS-13 与 IRF7403TRPBF 区别
| 型号 | DMN3018SSS-13 | IRF7403TRPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN3018SSS-13 | A-IRF7403TRPBF | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 22mΩ@4A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 2.5W(Ta) | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@10A,10V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 697 pF @ 15 V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 13.2 nC @ 10 V | - | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 7.3A(Ta) | 8.5A | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1200pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 57nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1200pF @ 25V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 57nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,775 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 7.3A(Ta) |
¥1.0005
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1,775 | 当前型号 | ||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
¥0.6061
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2,709 | 对比 | ||||||||
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IRF7403TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4A,10V N-Channel 30V 8.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
¥1.6031
|
0 | 对比 |