DMN3015LSD-13 与 IRF8313TRPBF 区别
| 型号 | DMN3015LSD-13 | IRF8313TRPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN3015LSD-13 | A-IRF8313TRPBF | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO | Dual N-Channel 30 V 21.6 mOhm 9 nC 2 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@12A,10V | 15.5mΩ@9.7A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W | 2W | ||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SO | 8-SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 8.4A | 9.7A | ||||||
| 系列 | DMN3015 | HEXFET® | ||||||
| 通道数量 | 2Channel | - | ||||||
| 配置 | Dual | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 2.35V @ 25µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1415pF @ 15V | 760pF @ 15V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25.1nC @ 10V | 9nC @ 4.5V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 760pF @ 15V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9nC @ 4.5V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,939 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
￥1.804
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1,939 | 当前型号 | ||||||||
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IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF8313TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 15.5mΩ@9.7A,10V 2W N-Channel 30V 9.7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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