DMN3010LSS-13 与 FDS6670A 区别
| 型号 | DMN3010LSS-13 | FDS6670A | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN3010LSS-13 | A32-FDS6670A | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 8 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | 2.5W(Ta) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOP | 8-SOIC | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 16A | 13A | ||||||||||||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2220pF @ 15V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 5V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2096pF @ 15V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 9mΩ@16A,10V | 8m Ohms@13A,10V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 43.7nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,468 | 299 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN3010LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@16A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A |
￥2.388
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2,468 | 当前型号 | ||||||||
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FDS6670A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 13A 8-SOIC |
￥2.2
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12,500 | 对比 | ||||||||
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FDS6670A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 13A 8-SOIC |
￥3.3
|
299 | 对比 | ||||||||
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IRF8714PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FDS6680A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 9.5m Ohms@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 12.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FDS6670A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 8m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 13A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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