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DMN3009SK3-13  与  AOD418G  区别

型号 DMN3009SK3-13 AOD418G
唯样编号 A36-DMN3009SK3-13 A-AOD418G
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@30A,10V 7.5 mΩ @ 20A,10V
上升时间 4.1ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 44W 2.5W(Ta),50W(Tc)
Qg-栅极电荷 42nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 TO-252,(D-Pak)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A 13.5A(Ta),36A(Tc)
配置 Single -
栅极电荷Qg - 24nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 15ns -
典型接通延迟时间 3.9ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3 80A 44W 5.5mΩ@30A,10V 30V ±20V

暂无价格 0 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V ±20V 36A 50W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
AOD418G AOS 功率MOSFET

13.5A(Ta),36A(Tc) N-Channel ±20V 7.5 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRFR3709Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 86A(Tc) ±20V 79W(Tc) 6.5mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
SPD50N03S2L06GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD50N03S2L06T Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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