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DMN24H11DS-7  与  BSS131H6327XTSA1  区别

型号 DMN24H11DS-7 BSS131H6327XTSA1
唯样编号 A36-DMN24H11DS-7 A-BSS131H6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 1.2W -
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 11Ω -
上升时间 4.7ns -
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 3.7 nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 77pF @ 25V
栅极电压Vgs 1V -
封装/外壳 - TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 270mA -
工作温度 -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.1nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 14 欧姆 @ 100mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 102.3ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 240V -
典型关闭延迟时间 17.5ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 56uA
通道数量 1 Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 110mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 240V
典型接通延迟时间 4.8ns -
库存与单价
库存 3,455 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.331
200+ :  ¥1.0175
1,500+ :  ¥0.8855
3,000+ :  ¥0.7689
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C ~ 150°C

¥1.331 

阶梯数 价格
40: ¥1.331
200: ¥1.0175
1,500: ¥0.8855
3,000: ¥0.7689
3,455 当前型号
BSS131 H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS131H6327XTSA1_SOT-23 N-Channel 14Ω@100mA,10V 360mW -55°C~150°C ±20V 240V 110mA 车规

暂无价格 3,000 对比
BSS131H6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS131 H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
DMN24H11DSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 750mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 240V 270mA(Ta) 车规

暂无价格 0 对比
DMN24H11DSQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 750mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 240V 270mA(Ta) 车规

暂无价格 0 对比

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