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DMN2450UFB4-7R  与  DMN2500UFB4-7  区别

型号 DMN2450UFB4-7R DMN2500UFB4-7
唯样编号 A36-DMN2450UFB4-7R-0 A36-DMN2500UFB4-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 400mΩ@600mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 460mW(Ta)
Qg-栅极电荷 - 736.6 pC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 400mΩ@600mA,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 56 pF @ 16 V -
栅极电压Vgs ±12V ±6V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 1.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 X2-DFN1006-3 DFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1A(Ta) 1A
系列 - DMN
配置 - Single
通道数量 - 1 Channel
驱动电压 1.8V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 60.67pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.74nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 3,359 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
130+ :  ¥0.3885
200+ :  ¥0.2903
1,500+ :  ¥0.2511
3,000+ :  ¥0.2228
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2450UFB4-7R Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 500mW(Ta) ±12V X2-DFN1006-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 1A(Ta)

¥0.3885 

阶梯数 价格
130: ¥0.3885
200: ¥0.2903
1,500: ¥0.2511
3,000: ¥0.2228
3,359 当前型号
DMN2500UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±6V 460mW(Ta) 400mΩ@600mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) DFN N-Channel 20V 1A

暂无价格 0 对比
DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

DFN1006-3 N-Channel

暂无价格 0 对比
DMN2500UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±6V 460mW(Ta) 400mΩ@600mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) DFN N-Channel 20V 1A

暂无价格 0 对比
DMN2450UFB4Q-7B Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

暂无价格 0 对比
DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 470mW(Ta) 550mΩ@600mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) DFN N-Channel 20V 0.75A

暂无价格 0 对比

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