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DMN2300U-7  与  NDS331N  区别

型号 DMN2300U-7 NDS331N
唯样编号 A36-DMN2300U-7 A36-NDS331N
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23 Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 175mΩ 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
上升时间 2.8ns -
Qg-栅极电荷 1.6nC -
栅极电压Vgs 450mV ±8V
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.4A 1.3A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.7V,4.5V
下降时间 13ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 162pF @ 10V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.55W 500mW(Ta)
典型关闭延迟时间 38ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMN22 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64.3pF @ 25V 162pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.6nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 3.5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 5,866 13,731
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6479
200+ :  ¥0.494
1,500+ :  ¥0.429
3,000+ :  ¥0.3809
70+ :  ¥0.7898
200+ :  ¥0.6435
1,500+ :  ¥0.585
3,000+ :  ¥0.546
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.4A 0.55W 175mΩ 20V 450mV

¥0.6479 

阶梯数 价格
80: ¥0.6479
200: ¥0.494
1,500: ¥0.429
3,000: ¥0.3809
5,866 当前型号
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
52,345 对比
FDV305N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

900mA(Ta) ±12V 350mW(Ta) 220m Ohms@900mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 N-Channel 20V 0.9A SOT-23-3

¥0.5621 

阶梯数 价格
90: ¥0.5621
200: ¥0.4277
1,500: ¥0.3718
3,000: ¥0.3289
30,297 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥2.5394 

阶梯数 价格
60: ¥2.5394
100: ¥1.8974
300: ¥1.4662
500: ¥1.3799
1,000: ¥1.3224
4,000: ¥1.2745
5,000: ¥1.2649
19,416 对比
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.7898 

阶梯数 价格
70: ¥0.7898
200: ¥0.6435
1,500: ¥0.585
3,000: ¥0.546
13,731 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A

¥2.5394 

阶梯数 价格
60: ¥2.5394
100: ¥1.8974
300: ¥1.4662
500: ¥1.3799
1,000: ¥1.3224
4,000: ¥1.2745
5,000: ¥1.2649
8,825 对比

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