DMN2300U-7 与 NDS331N 区别
| 型号 | DMN2300U-7 | NDS331N | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN2300U-7 | A32-NDS331N-1 | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23 | Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 175mΩ | 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V | ||||||||||
| 上升时间 | 2.8ns | - | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 1.6nC | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 450mV | ±8V | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.4A | 1.3A(Ta) | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 2.7V,4.5V | ||||||||||
| 下降时间 | 13ns | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 162pF @ 10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.55W | 500mW(Ta) | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 38ns | - | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 系列 | DMN22 | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 950mV @ 250µA | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 64.3pF @ 25V | 162pF @ 10V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.6nC @ 4.5V | 5nC @ 4.5V | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 3.5ns | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5nC @ 4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 324 | 15,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.4A 0.55W 175mΩ 20V 450mV |
￥0.6391
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324 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥0.9933
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21,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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19,414 | 对比 | ||||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.52
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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5,314 | 对比 | ||||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.9724
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2,565 | 对比 |
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