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DMN21D2UFB-7B  与  DMN21D2UFB-7  区别

型号 DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7
唯样编号 A36-DMN21D2UFB-7B A-DMN21D2UFB-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 X1-DFN1006-3 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 760mA(Ta) -
驱动电压 1.5V,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 380mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 990mΩ@100mA,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 27.6 pF @ 16 V -
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.93 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 380mW(Ta) ±12V X1-DFN1006-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 760mA(Ta)

暂无价格 0 当前型号
DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

¥0.6512 

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DMN21D2UFB-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

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