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DMN2075UDW-7  与  BSD214SNH6327XTSA1  区别

型号 DMN2075UDW-7 BSD214SNH6327XTSA1
唯样编号 A36-DMN2075UDW-7-0 A-BSD214SNH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 48mΩ@3A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 594.3 pF @ 10 V 143pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 7 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-363 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.8A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 3.7uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.8nC @ 5V
驱动电压 1.5V,4.5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 320 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.8495
200+ :  ¥0.6534
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2075UDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55℃~150℃(TJ) 20V 2.8A(Ta)

¥0.8495 

阶梯数 价格
60: ¥0.8495
200: ¥0.6534
320 当前型号
BSD214SNH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD214SN H6327_N 通道 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSD214SN H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSD214SNH6327XTSA1_20V 1.5A 111mΩ 12V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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