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DMN2075U-7  与  IRLML6246TRPBF  区别

型号 DMN2075U-7 IRLML6246TRPBF
唯样编号 A36-DMN2075U-7 A36-IRLML6246TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ 46mΩ@4.1A,4.5V
上升时间 9.8ns -
栅极电压Vgs 8V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A 4.1A
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 6.7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 5µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 16V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 800mW 1.3W(Ta)
典型关闭延迟时间 28.1ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMN2075 HEXFET®
通道数量 1Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 16V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.1V @ 5µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 594.3pF @ 10V 290pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 4.5V 3.5nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 7.4ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 24,914 6,766
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
110+ :  ¥0.4719
200+ :  ¥0.3042
1,500+ :  ¥0.2639
70+ :  ¥0.8063
200+ :  ¥0.5566
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
24,914 当前型号
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
66,047 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
IRLML6246TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.8063 

阶梯数 价格
70: ¥0.8063
200: ¥0.5566
6,766 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥2.5011 

阶梯数 价格
60: ¥2.5011
100: ¥2.3765
500: ¥1.974
1,000: ¥1.8974
2,000: ¥1.7728
4,000: ¥1.7536
4,181 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥1.3359 

阶梯数 价格
1: ¥1.3359
25: ¥1.1515
100: ¥1.0302
500: ¥0.8881
1,000: ¥0.7656
1,960 对比

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