DMN2075U-7 与 IRLML6246TRPBF 区别
| 型号 | DMN2075U-7 | IRLML6246TRPBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN2075U-7 | A-IRLML6246TRPBF | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 25mΩ | 46mΩ@4.1A,4.5V | ||||||||
| 上升时间 | 9.8ns | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 8V | ±12V | ||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.2A | 4.1A | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 2.5V,4.5V | ||||||||
| 下降时间 | 6.7ns | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 5µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 290pF @ 16V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 800mW | 1.3W(Ta) | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 28.1ns | - | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 系列 | DMN2075 | HEXFET® | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 16V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1.1V @ 5µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 594.3pF @ 10V | 290pF @ 16V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7nC @ 4.5V | 3.5nC @ 4.5V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 7.4ns | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 3.5nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 20,444 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V |
￥0.4537
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20,444 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥4.7242
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1,565 | 对比 | ||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥4.0841
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30 | 对比 | ||||||||||||||
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IRLML6246TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 46mΩ@4.1A,4.5V N-Channel 20V 4.1A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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