DMN2050LFDB-7 与 PMDPB30XN,115 区别
| 型号 | DMN2050LFDB-7 | PMDPB30XN,115 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMN2050LFDB-7 | A3n-PMDPB30XN,115 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 0.49W | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 45mΩ@5A,4.5V | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 389pF @ 10V | - | ||||||||||||||
| 输出电容 | - | 87pF | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12nC @ 10V | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | U-DFN2020-6(B 类) | SOT1118 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.3A | 5.3A | ||||||||||||||
| 输入电容 | - | 660pF | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 40mΩ@3A,4.5V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,900 | 300,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMN2050LFDB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel U-DFN2020-6(B 类) -55°C~150°C(TJ) 20V 3.3A |
￥2.256
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3,900 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMDPB30XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 40mΩ@3A,4.5V 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A |
￥0.8815
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300,000 | 对比 | ||||||||||||
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PMDPB30XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 40mΩ@3A,4.5V 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A |
暂无价格 | 13 | 对比 | ||||||||||||
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PMDPB30XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 40mΩ@3A,4.5V 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A |
￥1.8344
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0 | 对比 | ||||||||||||
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PMDPB30XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 40mΩ@3A,4.5V 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A |
￥1.8344
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0 | 对比 |
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