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DMN2029USD-13  与  IRF7331TRPBF  区别

型号 DMN2029USD-13 IRF7331TRPBF
唯样编号 A36-DMN2029USD-13 A-IRF7331TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO Dual N-Channel 20 V 2 W 13 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 30mΩ@7A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 25mΩ@6.5A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1171pF @ 10V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 18.6nC @ 8V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.8A 7A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1340pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1340pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,470 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.265
100+ :  ¥0.9768
1,250+ :  ¥0.8283
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2029USD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 20V 5.8A

¥1.265 

阶梯数 价格
40: ¥1.265
100: ¥0.9768
1,250: ¥0.8283
1,470 当前型号
IRF7331TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 30mΩ@7A,4.5V 2W N-Channel 20V 7A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7331 Infineon  数据手册 功率MOSFET

20V 7A 30mΩ@7A,4.5V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO

暂无价格 0 对比

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