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DMN2028USS-13  与  IRF7401TRPBF  区别

型号 DMN2028USS-13 IRF7401TRPBF
唯样编号 A36-DMN2028USS-13 A-IRF7401TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO Single N-Channel 20 V 2.5 W 48 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 22mΩ@4.1A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.56W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@9.4A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1000 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±8V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.6 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.3A(Ta) 8.7A
系列 - HEXFET®
驱动电压 1.5V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1600pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1600pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,987 4,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
30+ :  ¥1.947
100+ :  ¥1.507
1,250+ :  ¥1.309
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2028USS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.56W(Ta) ±8V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 20V 7.3A(Ta)

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.507
1,250: ¥1.309
1,987 当前型号
IRF7401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4.1A,4.5V N-Channel 20V 8.7A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
IRF7401PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

22mΩ@4.1A,4.5V ±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 20V 8.7A 8-SO

暂无价格 0 对比

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