DMN2005UFG-7 与 DMN2005UFG-13 区别
| 型号 | DMN2005UFG-7 | DMN2005UFG-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN2005UFG-7 | A3-DMN2005UFG-13 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerDI3333-8 | PowerDI3333-8 |
| 功率耗散Pd | 1.05W(Ta) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 18.1A(Tc) | - |
| 驱动电压 | 2.5V,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 4.6mΩ@13.5A,4.5V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6495 pF @ 10 V | - |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 164 nC @ 10 V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN2005UFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.05W(Ta) ±12V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 20V 18.1A(Tc) |
暂无价格 | 1 | 当前型号 | ||||
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DMN2005UFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
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DMN2005UFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥2.808
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28 | 对比 | ||||
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DMN2005UFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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